память
Фото: nantero.com

На ринку поки ще не з’явилася нова незалежна пам’ять від Intel і Micron, а японські компанії Fujitsu Semiconductor і Mie Fujitsu Semiconductor повідомили, що готують в 2018 році вихід комерційної версії енергонезалежної пам’яті на вуглецевих нанотрубках — NRAM. Відповідну ліцензію вони вже купили.

пам'ять
Фото: nantero.com

На першому етапі пам’ять NRAM у вигляді блоків вбудованої енергонезалежної пам’яті будуть отримувати процесори, мікроконтролери та інші складні мікросхеми. Перші версії пам’яті будуть проводитися по 55-нм технології, потім планується перейти на 40-нанометрову. При цьому наголошується, що пам’ять нового типу може замінити флеш, так і оперативну пам’ять DRAM, оскільки швидкість доступу до осередку NRAM під час запису всього 5 нс, а швидкість перемикання і того менше — 20 пс. Стійкість до зносу у NRAM просто колосальна — осередок на вуглецевих трубках витримує до 10 в ступені 12 циклів перезапису, тобто як мінімум, трильйон циклів (кращі флеш-модулі дозволяє до 100 тисяч циклів перезапису кожної комірки).

Про ціну поки не повідомляється, але очевидно, що по мірі розширення ринків, вона буде знижуватися.