память
Фото: nantero.com

На ринку поки ще не з’явилася нова незалежна пам’ять від Intel і Micron, а японські компанії Fujitsu Semiconductor і Mie Fujitsu Semiconductor повідомили, що готують в 2018 році вихід комерційної версії енергонезалежної пам’яті на вуглецевих нанотрубках — NRAM. Відповідну ліцензію вони вже купили.

пам'ять
Фото: nantero.com

На першому етапі пам’ять NRAM у вигляді блоків вбудованої енергонезалежної пам’яті будуть отримувати процесори, мікроконтролери та інші складні мікросхеми. Перші версії пам’яті будуть проводитися по 55-нм технології, потім планується перейти на 40-нанометрову. При цьому наголошується, що пам’ять нового типу може замінити флеш, так і оперативну пам’ять DRAM, оскільки швидкість доступу до осередку NRAM під час запису всього 5 нс, а швидкість перемикання і того менше — 20 пс. Стійкість до зносу у NRAM просто колосальна — осередок на вуглецевих трубках витримує до 10 в ступені 12 циклів перезапису, тобто як мінімум, трильйон циклів (кращі флеш-модулі дозволяє до 100 тисяч циклів перезапису кожної комірки).

Про ціну поки не повідомляється, але очевидно, що по мірі розширення ринків, вона буде знижуватися.

Якщо ви знайшли помилку, будь ласка, виділіть фрагмент тексту і натисніть Ctrl + Enter .