Компанії Intel і Micron розробили нову технологію для енергонезалежних пристроїв зберігання інформації 3D Xpoint. Відзначається, що новіка в тисячу разів швидше NAND-пам’яті, на якій засновані флешки і SSD.

Принцип роботи пам’яті заснований на зміні властивостей матеріалу, за рахунок чого знімається головна проблема флеш-пам’яті – кількість циклів перезапису. У нової технології вони практично нескінченні.

При цьому нова пам’ять лише в 10 разів повільніше оперативної, що означає практично моментальну реакцію у порівнянні навіть з SSD-накопичувачами корпоративного класу, не кажучи вже про домашніх серіях.

Слід зазначити, що компанії вже починають виробництво нових чіпів, які можуть вийти на ринок на початку наступного року.

Зрозуміло, буде потрібно якийсь час, щоб новинка заполонила ринок і впоралася з «дитячими хворобами», проте, коли це відбудеться, нова пам’ять стане принциповим кроком у розвитку мікроелектроніки.

Нагадаємо, що раніше повідомлялося про початок виробництва MRAM – магніторезистивної пам’яті, яка повинна замінити флешки і жорсткі диски.