Samsung

Компанія Samsung на конференції Flash Memory Summit 2016 представила четверте покоління енергонезалежній пам’яті 3D-V-NAND з 64-шарової архітектурою. На сьогоднішній день максимум шарів – 48, так пам’ять реалізована у накопичувачі Samsung SSD 850 EVO, а в SSD 850 Pro – 32-шарова архітектура.

Ємність нових чіпів становить 512 Гб (64 ГБ), а швидкість послідовного читання одного такого чіпа досягає значення 100 МБ/с. Початок виробництва запланований вже в майбутньому кварталі, першим продуктом стане 32-терабайтний SSD промислового класу у форм-факторі 2,5 дюйма з інтерфейсом SAS.

Також був анонсований подарунок для геймерів компанія представила нову лінійку NVMe твердотільних накопичувачів Z-SSD на основі «унікального дизайну схеми і контролера». Компанія обіцяє в 1,6 рази більшу швидкість, ніж у PM963 NVMe. У продажу новинка з’явиться в 2017 році.

Якщо ви знайшли помилку, будь ласка, виділіть фрагмент тексту і натисніть Ctrl + Enter .