Ми чимало писали про технологію Intel 3D XPoint – високопродуктивної пам’яті, яка об’єднує в собі швидкість DRAM і енергонезалежність флеш-пам’яті. Однак якщо ви думаєте, що це єдиний тип ReRAM – ви неправі.

У поточному році планується запустити у виробництво CrossRar ReRAM, яка перевершує дітище Intel і Micron у всіх відносинах. Як повідомляється, новинка буде працювати в 1000 разів швидше флеш-пам’яті NAND і споживати 1/20 енергії. Також вона в 1000 разів буде перевершувати NAND по витривалості в плані циклів перезапису.

Нова пам’ять працює в діапазоні температур від -40 ° C до +125 ° C, а також забезпечує більші обсяги за меншою ціною, ніж у 3D XPoint. Через кілька років на ринку вже можуть з’явитися 8-нанометрові чіпи пам’яті CrossRar ємністю до 1 ТБ (так-так, саме чіпи, а не кінцеві носії).

Нарешті, є налдежда, що нова пам’ять не буде ексклюзивом Intel, з’явившись та на системах з AMD. Залишається чекати.