Учёный

У національному університеті Сінгапуру (NUS) створена, як стверджується, перша в світі гнучка мікросхема магніторезистивної пам’яті з довільним доступом (MRAM).

Відзначається, що переваги такої пам’яті – висока швидкодія і відсутність необхідності в харчуванні для зберігання даних. Це дозволить у перспективі замінити DRAM і NAND. На жаль, по щільності MRAM поки поступається вказаними типами пам’яті.

Розробка вже запатентована в США і Південній Кореї. Нагадаємо, що раніше ми писали про гнучкому телефоні від Lenovo і гнучкому ж дисплеї від Samsung.

Якщо ви знайшли помилку, будь ласка, виділіть фрагмент тексту і натисніть Ctrl + Enter .