Американська компанія Crossbar з Санта-Клара, штат Каліфорнія, повідомила, що перші серійні зразки енергонезалежної пам’яті нового типу ReRAM, вже готові. Як повідомляється, сама Crossbar не має наміру випускати пам’ять, вона буде лише ліцензувати розробку за прикладом ARM.

Crossbar-CMOS-750

Випуском ж займеться, зокрема, китайська компанія SMIC, що отримала ліцензію в березні 2016 року. Резистивна пам’ять випускається з використанням 40-нм техпроцесу, а протягом першої половини поточного року обіцяють вийти 28-нм зразки ReRAM. Crossbar має намір на базі перших зразків розробити технологію вбудованої в мікроконтролери та SoC пам’яті ReRAM. При цьому зазначимо, що така пам’ять витримує до 100 тисяч циклів запису. Це дозволить замінити пам’ять NOR-флеш, оптимізовану для запуску коду, і пам’ять NAND-флеш, яка використовується SSD і картах пам’яті. При цьому ReRAM перевершує NAND по швидкодії – затримки в ній становлять 20 наносекунд, а в NAND – цілі мілісекунди. Крім цього, ReRAM перед записом не треба очищати, що спрощує структуру сигналу і скорочує час на операції.

Принцип роботи пам’яті ReRAM полягає в формування ниток з іонів срібла в робочому шарі з аморфного кремнію. Робоча напруга однієї полярності змушує іони срібла мігрувати в робочий шар з срібних електродів зовні осередків, а робоча напруга зворотної полярності повертає іони срібла назад у електроди. Мале ж напруга дозволяє зчитувати стан осередків, при цьому таких станів може бути кілька. А саму пам’ять можна випускати у вигляді багатошарового стека.

Таким чином, це досить перспективна розробка. Залишається тільки дочекатися її реалізації.

Якщо ви знайшли помилку, будь ласка, виділіть фрагмент тексту і натисніть Ctrl + Enter .