Похоже, что слухи о скорой смерти полупроводников и окончании действия закона Мура, скажем так, преувеличены. В Национальной лаборатории возобновляемой энергии (NREL) при Министерстве энергетики США была разработана технология создания полупроводников нового поколения.

При обычном производстве полупроводников материалы для них выбираются на основании схожести кристаллической структуры, параметров решетки и коэффициента теплового расширения. Это позволяет обеспечить взаимодействие между слоями без ошибок. Однако новое решение позволит использовать несовпадающие классы полупроводников.

Как сообщается, в этом может помочь ультрафиолет – если он направлен точно на поверхность полупроводника во время роста гетероструктуры, это позволяет изменить взаимодействие между двумя слоями.

В эксперименте использовался слой селенида цинка поверх слоя арсенида галлия. При изменении интенсивность освещения поверхности и других условий были определены механизмы формирования границ. Также учёные обнаружили, что ультрафиолет меняет химические связи на поверхности арсенида галлия, что приводит к появлению большего числа связей между галлием и селением.

Реальное значение этой работы в том, что теперь мы понимаем, как свет воздействует на образование границ. В будущем это может привести учёных к интеграции разнообразных полупроводников

Кван-Вук Парк

О коммерческом внедрении такой технологии пока не говорится, однако в Intel и других компаниях также экспериментируют с ультрафиолетовой литографией для печати полупроводников.