Компания Micron Technology совместно с Intel заявили о начале поставок первой в отрасли флэш-памяти типа QLC NAND. Эта память может хранить в ячейке до 4 бит информации, а кристаллы QLC NAND получили 64-слойную структуру и плотность 1 Тбит.

Также компании заявили о достижении прогресса в области разработки трёхмерной структуры NAND третьего поколения. Она состоит из 96 слоёв и позволяет увеличивать плотность хранения данных единицу площади кристалла. Как отмечается, в обоих случаях используется техпроцесс CuA (CMOS under the array), который позволяет уменьшить размеры кристалла и повысить производительность по сравнению с аналогами.

В Intel уточнили, что память QLC NAND хорошо подойдет для облачных рабочих нагрузок с интенсивным чтением. Также она найдёт применение в клиентских устройствах с высокой нагрузкой.