Южнокорейское издание Yonhap сообщает, что средняя цена чипов флэш-памяти NAND в этом году может снизиться за счёт роста производства. По состоянию на 2017 год, средняя цена продажи (ASP) составляла $0,31 за 1 ГБ, что на 7,4% больше, чем годом ранее. В 2018 году показатель ASP ожидается на уровне $0,24 за ГБ, а в 2019 — $0,15. В 2021 же году показатель, как предполагается, упадёт до $0,08.

Для сравнения, у HDD цена за 1 ГБ составила $0,03 ещё в 2014 году. Кроме это сообщается, что в 2019 году дефицит поставок снизится за счёт увеличения производства Samsung Electronics Co. и SK hynix Inc., которые продолжают наращивать производственные мощности. Также на процесс снижения цен повлияет появление на рынке новых производителей. В частности, китайской Yangtze Memory Technologies, которая является дочерним предприятием со значительным капиталом корпорации Tsinghua Unigroup и с долевым участием Большого Фонда под эгидой правительства Китая.

Эта компания уже получила заказ от Apple на 3D-NAND память. Первые производственные линии компании Yangtze Memory Technologies начнут выпускать коммерческую продукцию в текущем году. Это будет 32-слойная 3D NAND. В разработке памяти китайцам помогал американо-японский производитель NOR-флеш компания Spansion. Для своих нужд Apple закупает порядка 15% от всей выпускаемой в мире памяти NAND — это 160 млн ГБ в 2017 году.

Также эксперты из IHS Markit ожидают, что несмотря на снижение цен, производители памяти будут поддерживать высокий рост выручки в текущем году за счёт высокого спроса. В целом же ожидается, что мировой доход от флэш-рынка NAND увеличится до $59,2 млрд в этом году с $53,8 млрд в 2017 году. А выручка в ближайшем будущем будет оставаться в диапазоне $50 млрд.

Для пользователей это означает постепенное падение стоимости на конечны решения, что позволит дешевле провести апгрейд.

Кроме этого, отметим, снижение цен может коснуться и модулей оперативной памяти. Не секрет, что в последние годы этот показатель растёт. Но в 2018-м ситуация может измениться. В конце прошлого года китайская комиссия по развитию и реформам (National Development and Reform Commission, NDRC) выразила свою озабоченность по этому поводу компании Samsung, которая является крупнейшим мировым производителем DRAM.

Между NDRC и Samsung был подписан меморандум о взаимопонимании, где были обозначены направления совместных действий, включая расширение инвестиций в китайские предприятия и техническое сотрудничество в области DRAM. Учитывая, что КНР является главным потребителем оперативной памяти, это вполне логично. А в интересах Samsung — своевременно среагировать на претензии Китая. Другой причиной, по мнению экспертов, станет снижение спроса на смартфоны, а именно они являются основным продуктом, который использует DRAM.

Наконец, по информации итальянского портала Bits and Chips, производители полупроводников начали активно приобретать оборудование, списанное с заводов Samsung, SK Hynix и Micron. Как предполагается, это позволит насытить внутренний рынок DRAM типа DDR3 и DDR4 с производством 30- и 39 нм. При этом троица лидеров индустрии в настоящее время переходит на техпроцессы 10-нм класса.

Изменения же в ценовой политике ожидаются не ранее 2019 года.

К слову, такой подход со стороны китайцев может стабилизировать рынок не только в КНР. Примером подобного подхода является выпуск китайской компанией Huanan версий материнских плат под серверный сокет 2011, который позволяет использовать старые, но ещё рабочие процессоры Intel. Благодаря этому можно собрать неплохую систему за небольшие деньги. Быть может, с SSD и DRAM китайского производства будет то же самое.

Такая среднесрочная стратегия китайских производителей полупроводников должна значительно ускорить снижение цен на память DRAM до прежнего уровня. Впрочем, значительных подвижек на данном рынке следует ждать не ранее 2019 года.