Компанией Smart Modular Technologies были начаты поставки карт расширения nvNitro, которые позиционируются как ускорители на базе новой памяти MRAM — магниторезистивной. Ускорители поддерживают NMVe 1.2.1, а также обладают памятью объёмом в 1 ГБ. Используется магниторезистивная память с произвольным доступом ST-MRAM производства Everspin Technologies.

Что известно

Новые ускорители, как утверждается, пригодятся в финансовых приложениях. Они выигрывают до 90% времени ожидания по сравнению с корпоративными SSD. Как утверждается, производительность таких ускорителей превосходит 1,5 млн IOPS, а задержка на операциях чтения и записи примерно равна 6 мкс.

При этом MRAM не боится отключения энергии и не имеет такого параметра как износ (деградация) ячеек, что свойственно Flash-памяти. Ей не требуются ионисторы, аккумуляторы и прочие устройства накопления энергии. Сама же плата поддерживает интерфейс PCIe Gen3. Цена пока не сообщается.

Что такое MRAM

Технология магниторезистивной памяти разрабатывается с 90-х годов прошлого века, однако до сих пор она не вышла на рынок. Эту память, как ожидается, в перспективе можно будет использовать в качестве единой универсальной памяти (оперативная + постоянная), поскольку при хранении (без чтения и записи), она не потребляет энергии, но при этом умеет работать на скоростях, которые превосходят даже лучшие образцы DRAM.

Магниторезистивная память всё ещё в значительной степени находится «в разработке» и производится с помощью устаревших технологических процессов. Причиной является спрос на флэш-память, который, в настоящее время превышает предложение, то еще не скоро появится компания, которая решится перевести одну из своих фабрик с новейшим технологическим процессом на изготовление микросхем магниторезистивной памяти. Так что скорого появления новой памяти ждать не стоит.