Компания Qualcomm объявила о начале печати первых образцов своего LTE-чипсета Snapdragon X20 LTE, для которого используется 10-нм FinFET техпроцесс. Этот чипсет представляет собой седьмое поколение многорежимных модемов LTE компании и второе поколение её гигабитных решений LTE.

Как отмечается, новинка будет обеспечивать максимальную скорость скачивания в сотовых сетях до 1,2 Гбит/с.

Вдобавок модем обеспечивает поддержку агрегации несущих частот 5 × 20 МГц для нисходящих линий связи среди лицензированных и нелицензированных радиочастот FDD и TDD. Snapdragon X20 LTE является первым коммерческим одночиповым решением, обеспечивающим возможность работы режима 4 × 4 MIMO поверх трёх несущих агрегированных LTE-частот — в результате поддерживается одновременный приём до 12 пространственных потоков данных LTE (каждый скоростью до 100 Мбит/с). Наконец, впервые среди LTE-модемов Snapdragon он поддерживает работу Dual SIM Dual VoLTE (DSDV). Максимальная скорость передачи от пользователя к базовой станции, обеспечиваемая Snapdragon X20 LTE, составляет 150 Мбит/c.

Отметим, что Snapdragon X20 LTE поддерживает все ключевые технологии сотовой связи (LTE FDD, LTE TDD, WCDMA, TD-SCDMA, EV-DO, CDMA 1x и GSM/EDGE), а также технологии LTE Broadcast и VoLTE с поддержкой качественной аудиосвязи Ultra HD Voice с помощью кодека EVS. Модем совместим с 40 полосами частот и имеет более 1000 вариантов агрегации несущих частот.

В Qualcomm заявили, что новый чип позволяет достигать скорость и качество беспроводного Интернета, приближённые к показателям оптоволоконных сетей и позволяет использовать виртуальную реальность и другие приложения с минимальным откликом.