Компания Samsung презентовала свою новую разработку – чипы флэш-памяти eUFS ёмкостью 512 ГБ. Так что теперь 256-гигабайтные чипы для хранения данных более не являются максимумом. Как отмечается, новая память позволит обеспечить необходимую ёмкость для устройств следующего поколения, что актуально при появлении видео 4K и виртуальной реальности.

Чипы eUFS состоят из восьми 64-разрядных чипов V-NAND общим объёмом 512 ГБ плюс контроллер. Таким образом, чип способен хранить 130 видеороликов в качестве Ultra HD (3840 × 2160) по 10 минут каждый. Кроме этого, новая разработка получила улучшения по электрической части, что привело к энергоэффективности решения.

Наконец, новые чипы получили повышение скорости чтения/записи. Обещано, что eUFS-память позволит передавать данные в 8 раз быстрее. Например, 5-гигабайтный видеоролик Full HD можно скопировать за 6 секунд. Как ожидается, новая память может появиться уже в Samsung Galaxy S9 с 512 ГБ, однако это пока не подтверждено официально.