Samsung

Компания Samsung на конференции Flash Memory Summit 2016 представила четвёртое поколение энергонезависимой памяти 3D V-NAND с 64-слойной архитектурой. На сегодняшний день максимум слоёв – 48, так реализована память в накопителях Samsung SSD 850 EVO, а в SSD 850 Pro – 32-слойная архитектура.

Ёмкость новых чипов составляет 512 Гбит (64 ГБ), а скорость последовательного чтения одного такого чипа достигает значения 100 МБ/с. Начало производства запланировано уже в будущем квартале, первым продуктом станет 32-терабайтный SSD промышленного класса в форм-факторе 2,5-дюйма с интерфейсом SAS.

Также был анонсирован подарок для геймеров – компания представила новую линейку NVMe твердотельных накопителей Z-SSD на основе «уникального дизайна схемы и контроллера». Компания обещает в 1,6 раза большую скорость, чем у PM963 NVMe. В продаже новинка появится в 2017 году.