Компания Samsung Electronics начала массовый выпуск первых в мире микросхем оперативной памяти DDR4 DRAM, изготавливаемых по техпроцессу 10-нм класса (1y-nm) второго поколения. Эти чипы имеют ёмкость 8 Гбит (1 ГБ) и предназначены для использования в различных вычислительных системах.
Новые чипы, как утверждается, на 10% более производительны и на 15% – более энергоэффективные, чем 8-гигабитные чипы 10-нм класса первого поколения. Также они меньше по размеру и имеют более высокую скорость передачи данных – 3600 Мбит/с против 3200 Мбит/с. Таким образом, производительность на ватт больше до 30%.
Как отмечается, инженеры Samsung использовали новую технологию собственной разработки для проектирования схем, что позволило улучшить показатели. Кроме этого, в новых чипах точнее определяются данные для каждой ячейки, а специальная воздушная прослойка вокруг так называемых битовых линий (bit lines) значительно снижает паразитную ёмкость.
О цене новых чипов пока ничего не сообщается, однако скорее всего они будут дороже традиционных.