Компания Samsung Electronics официально сообщила о начале массового производства первых в мире микросхем памяти Graphics Double Data Rate 6 (GDDR6) плотностью 16 Гбит (2 ГБ). Эта память найдёт применение, в графических ускорителях следующего поколения, а также в беспилотных автомобилях и системах искусственного интеллекта.

Как отмечается, чипы памяти построены с применением 10-нанометрового технологического процесса и вдвое превосходят по плотности 8-гигабитные микросхемы GDDR5. Также они вдвое превосходят старые микросхемы по техпроцессу — GDDR5 производятся по технологии 20 нанометров.

Как обещает компания, микросхемы GDDR6 обеспечивают скорость передачи информации 18 Гбит/с на контакт, то есть суммарную скорость 72 ГБ/с на чип. Это более чем в два раза больше, чем у GDDR5 — там скорость составляла 8 Гбит/с на контакт. Для сравнения, несколько дней назад та же Samsung начала серийное производство 2-го поколения 8-ГБ памяти High Bandwidth Memory-2 (HBM2) со скоростью 2,4 Гбит/с на контакт. Однако большее количество контактов в случае HBM2 обеспечивает скорость до 307 ГБ/с.

При этом отметим, что память GDDR6 потребляет на 35% меньше энергии, так как ее рабочее напряжение составляет 1,35 В против 1,55 В у GDDR5. Это позволит снизить потребление энергии в мощных видеокартах и ИИ-системах.