Компанией Micron Technology был представлен модуль энергонезависимой памяти DDR4-2933 NVDIMM MTA36ASS4G72XF1Z объемом 32 ГБ. Как отмечается, он имеет вдвое большую ёмкостью, чем решения конкурентов.

Новинка относится к модулям NVDIMM-N, на которых установлены микросхемы как DRAM, так и NAND. Такое сочетание позволяет иметь малые задержки, высокую пропускную способность, большой объём хранения данных и сравнительно доступную стоимость. При этом даже отключение питания не удалит информацию.

По оценке Micron, модули NVDIMM-N позволяют повысить производительность на задачах с интенсивным чтением на 11%, на задачах с интенсивной записью — на 63% в случае блочных операций с данными.

Отдельно отметим, что объём флэш-памяти на модуле вдвое больше оперативной памяти – 64 ГБ типа SLC. ОЗУ же имеет систему коррекции ошибок ECC. Для записи данных на флэш-память в случае сбоя питания, нужно резервное – от батареи или ионистора.