Samsung почав комерційне виробництво 48-шарових чипів TLC 3D V-NAND ємністю 256 гігабіт. Очікується, что ці чіпі зроблять пристрої на їх основі більш доступними для покупців, а значить це збільшіть частко Samsung у цьому секторі ринку.
Чипи засновані на архітектурі Charge Trap (CTF). Кожна мікросхема має ємність у 32 гігабайті и складається більш ніж з 85 мільярдів осередків. При цьому наголошується, что чіпі вімагають на третина менше енергії, ніж звічайні, і вдвічі більшій обсяг (256 гігабіт проти 128). Вони також на 40% менше за розміром.
В Samsung очікують, что нові чипи дозволяти знизити ціни на SSD-накопичувачі в 1 і 2 терабайти, а такоже зміцнити позиції компании у корпоративному секторі.
Відзначімо, что нові мікросхеми вже використовують у накопичувачі PM1633a з інтерфейсом SAS 12Gbps. Він призначений для великих центрів обробки даних.