Компанія Samsung Electronics почала масовий випуск перших у галузі мікросхем пам’яті типу LPDDR4 щільністю 12 Гбіт. Вони розраховані на випуск за нормами 20-нм технологічного процесу і покликані істотно прискорити поширення високопродуктивної пам’яті типу DRAM для мобільних пристроїв по всьому світу.
Ці чіпи можуть забезпечити найбільшу щільність і найвищу швидкість пам’яті, доступну на сьогоднішній день для чіпів DRAM. При цьому вони відрізняються високою енергоефективністю, надійністю і простим дизайном, що важливо для розробки наступного покоління мобільних пристроїв.
Швидкість передачі даних, що забезпечується новою пам’яттю, досягає 4266 Мбіт / с у розрахунку на висновок, що на 30% більше в порівнянні з мікросхемами пам’яті LPDDR4 з кристалів щільністю 8 Гбіт, а також удвічі вище швидкості пам’яті DDR4-2133 для ПК. При цьому, незважаючи на приріст у ємності та швидкості енергоспоживання нового рішення на 20% менше. Крім того, виробник відзначає, що з випуском чіпів пам’яті LPDDR4 щільністю 12 Гбіт йому вдалося вдвічі збільшити обсяги виробництва для задоволення зростаючого попиту на високопродуктивну пам’ять для мобільних пристроїв в майбутньому.