Компанія Samsung Electronics офіційно повідомила про початок масового виробництва перших у світі мікросхем пам’яті Graphics Double Data Rate 6 (GDDR6) щільністю 16 Гб (2 ГБ). Ця пам’ять знайде застосування, в графічних прискорювачах наступного покоління, а також в безпілотних автомобілях і системах штучного інтелекту.

Як зазначається, чіпи пам’яті побудовані з застосуванням 10-нанометрового технологічного процесу і вдвічі перевершують по щільності 8-гігабітні мікросхеми GDDR5. Також вони вдвічі перевершують старі мікросхеми по техпроцесу — GDDR5 виробляються за технологією 20 нанометрів.

Як обіцяє компанія, мікросхеми GDDR6 забезпечують швидкість передачі інформації 18 Гбіт/с на контакт, тобто сумарну швидкість 72 ГБ/с на чіп. Це більш ніж у два рази більше, ніж у GDDR5 — там швидкість становила 8 Гбіт/с на контакт. Для порівняння, кілька днів тому та ж Samsung почала серійне виробництво 2-го покоління, 8 ГБ пам’яті High Bandwidth Memory-2 (HBM2) зі швидкістю 2,4 Гбіт/с на контакт. Однак більшу кількість контактів у разі HBM2 забезпечує швидкість до 307 ГБ/с.

При цьому відзначимо, що пам’ять GDDR6 споживає на 35% менше енергії, так як її робоча напруга становить 1,35 проти 1,55 В GDDR5. Це дозволить знизити споживання енергії в потужних відеокартах і ШІ-системах.