Tehnot.com
  • Новини
  • Огляди
  • Ігри
  • Лайфхаки
  • Блоги
No Result
View All Result
В тренде
  • iPhone 12
  • Galaxy S21
  • Redmi
  • Xiaomi
  • Apple
  • SpaceX
  • Русский Русский
Tehnot.com
  • Новини
  • Огляди
  • Ігри
  • Лайфхаки
  • Блоги
Tehnot.com
No Result
View All Result

Створено осередок оптичної енергонезалежної пам’яті

Drako
7 years назад
у IT, Наука, Новини
Створено осередок оптичної енергонезалежної пам’яті

Дослідники з інституту Карлсруе (KIT), університету Мюнстера, Оксфордського і Ексетерського університетів розробили оптичну комірку пам’яті на базі речовини із змінною фазою стану. Раніше пам’ять такого типу (PRAM або PCM – Phase change RAM) вже створювалася для індустріального, автомобільного та аерокосмічного застосування, але в ній використовувався принцип зміни струмів при проходженні через кристалічну або аморфну ​​структуру речовини. У новій розробці роль електрики виконують надкороткі світлові імпульси, міняючи фазовий стан речовини.

Конструктивно пам’ять є кремній-азотним световодом з вкрапленням традиційного для пам’яті PCM матеріалу – халькогенидного з’єднання GST (Ge2Sb2Te5). Лазерний імпульс розплавляє GST-перегородку, переводячи речовину матеріалу в аморфну ​​структуру. Менш потужний імпульс з повільним охолодженням (цього можна досягти двома імпульсами з коротким проміжком) веде до появи в розплаві GST кристалічної структури. Аморфна і кристалічна структури по-різному пропускають світло, так що в одному випадку можна вважати «0», в іншому – «1».

rw

Читання проводиться більш слабкими імпульсами.

Важливо відзначити, що такий принцип працює в перезаписуваних оптичних дисках, тільки канал для читання не наскрізний, а працює з відображенням. Наступним кроком є ​​розробка технології випуску нової пам’яті на існуючому обладнанні.

Теги: Phase change RAMPRAMзалізолазерпам'ять
  • Русский Русский
Перейти на Русскую версию сайта.

© 2015-2019 TEHNOT.COM - При використанні матеріалів сайту обов'язковою умовою є наявність гіперпосилання в межах першого абзацу на сторінку розташування вихідної статті із зазначенням бренду видання Tehnot.com. Матеріали з позначками "Новини партнерів" і PR публікуються на правах реклами. Завжди раді відповісти через соцмережі або нашу поштову скриньку info@tehnot.com - пишіть!
Контакти 😉

No Result
View All Result
  • Вхід
  • Новини
  • Огляди
  • Ігри
  • Лайфхаки
  • Блоги
  • Русский Русский

© 2015-2019 TEHNOT.COM - При використанні матеріалів сайту обов'язковою умовою є наявність гіперпосилання в межах першого абзацу на сторінку розташування вихідної статті із зазначенням бренду видання Tehnot.com. Матеріали з позначками "Новини партнерів" і PR публікуються на правах реклами. Завжди раді відповісти через соцмережі або нашу поштову скриньку info@tehnot.com - пишіть!
Контакти 😉

Welcome Back!

Login to your account below

Forgotten Password?

Create New Account!

Fill the forms bellow to register

All fields are required. Log In

Retrieve your password

Please enter your username or email address to reset your password.

Log In