Дослідники з інституту Карлсруе (KIT), університету Мюнстера, Оксфордського і Ексетерського університетів розробили оптичну комірку пам’яті на базі речовини із змінною фазою стану. Раніше пам’ять такого типу (PRAM або PCM – Phase change RAM) вже створювалася для індустріального, автомобільного та аерокосмічного застосування, але в ній використовувався принцип зміни струмів при проходженні через кристалічну або аморфну структуру речовини. У новій розробці роль електрики виконують надкороткі світлові імпульси, міняючи фазовий стан речовини.
Конструктивно пам’ять є кремній-азотним световодом з вкрапленням традиційного для пам’яті PCM матеріалу – халькогенидного з’єднання GST (Ge2Sb2Te5). Лазерний імпульс розплавляє GST-перегородку, переводячи речовину матеріалу в аморфну структуру. Менш потужний імпульс з повільним охолодженням (цього можна досягти двома імпульсами з коротким проміжком) веде до появи в розплаві GST кристалічної структури. Аморфна і кристалічна структури по-різному пропускають світло, так що в одному випадку можна вважати «0», в іншому – «1».
Читання проводиться більш слабкими імпульсами.
Важливо відзначити, що такий принцип працює в перезаписуваних оптичних дисках, тільки канал для читання не наскрізний, а працює з відображенням. Наступним кроком є розробка технології випуску нової пам’яті на існуючому обладнанні.