Як відомо, у минулому році Intel і Micron анонсували розробку революційної енергонезалежній пам’яті 3D XPoint. На той момент про неї майже нічого не було відомо, однак зараз процес вже йде до початку виробництва, тому з’являється нова інформація.
Раніше передбачалося (й виявилося правдою), що 3D XPoint – це не резистивна пам’ять ReRAM. Мова йде про зворотнє зміну фазового стану речовини. Технологія була розроблена ще в 60-х роках Стенфордом Овшинским. Подібна пам’ять вже випускається, але без використання перехресної структури комірок.
Як заявив директор компанії IM Flash Гай Блелок, на налагодження виробництва може знадобитися 12-18 місяців, так що, можливо, пам’ять потрібно буде чекати довше, а в цьому році вона не з’явиться на ринку. Причин тому багато, як чисто технологічних, так і економічних. Наприклад, для виробництва потрібно використовувати близько 100 нових видів сировини, в тому числі і унікального, а вартість нового техпроцесу в 5 разів вище, ніж традиційного. Так що залишається тільки чекати.