Гибкие экраны – уже не новинка. Тем более – загибаемые на боковую грань. А вот ситуация с производством энергонезависимой памяти на гибкой пластиковой или другой основе пока «хромает».

Но южнокорейский институт KAIST (Корейский институт передовых технологий) предложил возможное решение проблемы. Там разработали массив памяти NAND на гибкой подложке, который может работать при кривизне изгиба 300 мкм. При этом его можно растягивать до 2,8%, а  толщина самого массива составляет 6 мкм.

Отметим, что основной проблемой при создании гибкой флэш-памяти была сложность в создании гибких материалов, способных удерживать заряд в ячейке длительное время — более месяца. В KAIST предложили технологический процесс, который опирается на химическое осаждение материала из газовой (паровой) фазы, даёт возможность последовательно создавать изолирующие слои с необходимыми свойствами. Обычно же для выпуска электроники на гибких подложках используются технологии с разного рода жидкими растворителями. С производством флэш-памяти это не работает.

Прототип памяти гибкой подложке программируется напряжением 10 В и способен удерживать заряд в ячейке 10 лет без подачи питания, что соответствует индустриальному стандарту.