В этом году самые ожидаемые смартфоны Xiaomi — флагманы Mi Mix 2S и Mi 7. Они оба получат последние SoC Qualcomm Snapdragon 845 и, как ожидается, будут показаны на выставке Mobile World Congress 2018 в Барселоне. Однако, судя по всему, не только для фанатов топовых решений в этом году будет праздник. Как сообщает ресурс XDA Developers, многим по душе пришлась серия Mi Max, известная ёмкими батареями и неплохой производительностью для своего класса. И потому есть вероятность, что новый Xiaomi Mi Max 3 выйдет уже в этом году. Это подтверждается анализом прошивки, которую раздобыл сервис FunkyHuawei.club и его владелец, известный как @FunkyHuawei.

Отметим, что ещё в декабре прошлого года китайский блог CNMO сообщил, что Mi Max 3 получит «толстую» батарею ёмкостью 5 500 мА*ч, процессор Qualcomm Snapdragon 630 или Qualcomm Snapdragon 660, двойную камеру и дисплей формата 18:9 на 7 дюймов.

И это, кроме разве что данных о размере экрана, подтверждается прошивкой от @FunkyHuawei. Кроме этого, в ней обнаружилось упоминание беспроводной зарядки. И это интересно, ведь ранее смартфоны Xiaomi никогда не поддерживали беспроводную зарядку Qi. Однако в конце минувшего года компания всё же присоединилась к консорциуму Wireless Power Consortium. Когда предполагалось, что первым беспроводную зарядку получит Xiaomi Mi 7 (и это может так и быть, учитывая, что его покажут раньше. Формально всё верно). Что же касается Xiaomi Mi Max 3, доказательства наличия беспроводной зарядки у него обнаружились в двух местах.

Первое — это код APK MIUI Keyguard, де были найдены строки, относящиеся к беспроводной зарядке (см. скриншот ниже).

Кроме этого, были обнаружены справочные изображения и видео, которые рассказывают о том, как правильно размещать смартфон на «базе», чтобы он заряжался. При этом, скорее всего это некое универсальное руководство, поскольку смартфон на изображениях не похож на Mi Max 3. По-видимому, оно демонстрирует универсальное устройство для будущего перечня моделей смартфонов Xiaomi с возможностями беспроводной зарядки.

Также в прошивке нашлись сведения об используемых камерах. Судя по ним, в Mi Max 3 будут использоваться датчики IMX363 от Sony или S5K217 + S5K5E8 от Samsung в варианте с двумя камерами. А передней панели будет установлен датчик S5K4H7 от Samsung. А, кроме этого, на передней панели может находиться сканер радужной оболочки глаза. Тот самый Iris Scanner.

Он, судя по всему, работает с помощью датчика OmniVision 2281, который «использует пиксель с разрешением 1,12 мкм с технологией PureCel для обеспечения точного и надежного распознавания радужной оболочки для смартфонов, планшетов и ноутбуков», как написано на странице производителя. При этом некоторые строки кода закомментированы, что означает, что датчик и/или код ещё в разработке. Также обещан классический уже сканер отпечатка. Наверняка, если Iris Scanner всё же будет, он нужен, чтобы буквально разблокировать девайс, взглянув на него.

В плане программного обеспечения ожидается Android 8.1 Oreo, хотя, судя по некоторым данным, изначально на устройстве-прототипе стоял Android 7.1 Nougat. Возможно, прошивка ещё не готова или же она доступна только разработчикам.

Седи прочих мелочей можно отметить двойной слот для SIM-карт, поддержку двух SD-карт (!!!), ИК-датчик для управления техникой, светодиодный индикатор для уведомлений, поддержку звуковых кодеков aptX и aptX HD Bluetooth от Qualcomm, динамики от Dirac. А вот NFC. Похоже, не будет.

К слову, по последним данным, новинка может получить чипсет Snapdragon 636, а не 660. При этом разница между ними незначительна и заключается в максимальной тактовой частоте.

Чипсет Snapdragon 636(SD636) Snapdragon 660 (SD660)
Год выпуска 2017 г. 2017 г.
Процессор 8 ядер (8x Kryo 260, до 1,8 ГГц) 8 ядер (4x Kryo 260 2,2 ГГц + 4x Kryo 260 1,84 ГГц)
Видеоускоритель Adreno 509 Adreno 512
Оперативная память LPDDR4, 1333 МГц LPDDR4 1866 МГц
Wi-Fi 802.11ac Wave 2, до 433 Мбит/с 802.11ac Wave 2, до 867 Мбит/с
Bluetooth 5 5
Максимальное быстродействие в LTE-сетях (скачивание/загрузка) 600/150 Мбит/с 600/150 Мбит/с
Техпроцесс 14 нм FinFET 14 нм FinFET